半导体专用远程ICP等离子体增强原子层沉积设备PEALD

• 用于沉积纳米级薄膜、纳米粉末包覆、长深孔样品镀膜。

• 具有Thermal-ALD、PEALD、Particle-ALD和生产型ALD。

• 具备近100种膜层工艺。

• 应用领域：

芯片封装、半导体High-k介电层、纳米涂层、3D涂层、锂电池、催化剂、太阳能电池、5G通讯（SAW器件）、生物医学仿生、荧光材料、OLED显示、有机材料、电子电路、光学膜等，细分及对应膜层如下：

    -High-K介电材料(Al2O3,HfO2,ZrO2,PrAlO,Ta2O5,La2O3)

    -导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)

    -金属互联结构 (Cu WN,TaN,Ru,Ir)

    -催化材料 (Pt,Ir,Fe,Co,TiO2,V2O5)

    -纳米结构 (All ALD Material)

    -生物医学涂层 (TiN,ZrN,TiAlN,AlTiN)

    -金属 (Ru,Pd,Ir,Pt,Rh,Co,Cu,Fe,Ni)

    -压电层 (ZnO,AlN,ZnS)

    -透明电学导体 (ZnO:Al,ITO)

    -紫外阻挡层 (ZnO,TiO2)

    -光子晶体 (ZnO,ZnS:Mn,TiO2,Ta3N5)

    -防反射滤光(Al2O3,ZnS,SnO2,Ta2O5)

    -电致发光器件(SrS:Cu,ZnS:Mn,ZnS:Tb,SrS:Ce)

    -工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3,ZrO2)

    -光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO,SnO2,ZnO)

    -传感器 (SnO2,Ta2O5)

    -磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3,ZrO2,WS2)

    -OLED钝化层 (Al2O3)

• 功能特点：

-采用热法和等离子法制备原子层纳米级薄膜

-一个循环周期小于2秒钟

-可以沉积有机高分子材料，实现表面亲疏水性

-可以在纳米粉末或纳米颗粒上沉积薄膜

-可以在三维、不规则体、带有长深孔（深宽比2500：1）样品上沉积薄膜

-可以沉积低饱和蒸汽压材料

-可增加在线椭偏仪和QCM检测

-可增加等离子体装置

-可扩展臭氧产生器

-可集成手套箱设备

-可增加Load-lock自动上下载片装置

• 可沉积膜层：